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| Artikel-Nr.:
822EL-8136719 Herst.-Nr.:
BUJ302AD,118 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 400 V
Gehäusegröße = SOT-428
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 80 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 24 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hochspannungstransistoren, zwischen Halbleitern Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 400 V | Gehäusegröße: | SOT-428 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 80 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 24 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8136719, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, WeEn Semiconductors Co., Ltd, BUJ302AD,118, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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