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| Artikel-Nr.:
822EL-9128295 Herst.-Nr.:
SFH 320 FA-Z EAN/GTIN:
5059041293402 |
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| Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 8µs
Regelanstiegszeit = 8µs
Dunkelstrom max. = 50nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = ± 60°
Polarität = NPN
Anzahl der Pins = 2
Montage Typ = Oberflächenmontage
Gehäusetyp = Obere LED
Abmessungen = 3.4 x 3 x 1.92mm
Kollektorstrom = 15mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich = 750 → 1120 nm
Kollektor-Emitter-Spannung = 35 V
Fototransistor TOPLED®-Gehäuse. Diese NPN-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors sind aus der TOPLED®-Serie. Die TOPLED®-Fototransistoren haben ein SMD-PLCC-2-Gehäuse mit eine klaren oder tageslichtdiffusen Linse.. Merkmale der TOPLED®-Fototransistoren: Hohe Linearität PLCC-2-Gehäuse Oberflächenmontage (SMD) Halber Winkel: 60° Geeignet für alle Lötmethoden Weitere Informationen: | | Erkennbare Spektren: | IR | Fallzeit typ.: | 8µs | Regelanstiegszeit: | 8µs | Dunkelstrom max.: | 50nA | Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: | ± 60° | Polarität: | NPN | Anzahl der Pins: | 2 | Montage Typ: | Oberflächenmontage | Gehäusetyp: | Obere LED | Abmessungen: | 3.4 x 3 x 1.92mm | Kollektorstrom: | 15mA | Empfindlichkeit im Spektralbereich: | 750 ? 1120 nm | Kollektor-Emitter-Spannung: | 35 V |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-LED, infrarot-diode 750nm, ir emitter, 9128295, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, Fototransistoren, ams OSRAM, SFH320FAZ, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Phototransistors |
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