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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT10090SLLG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT10090SLLG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: SMD
Gehäuse: D3PAK
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 298W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 71nC
Technologie: POWER MOS 7®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 48A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.