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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT20M45SVRG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT20M45SVRG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: SMD
Gehäuse: D3PAK
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 56A
Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 300W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 195nC
Technologie: POWER MOS 5®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 224A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.