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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 24A; Idm: 85A; 150W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-B2M065120R
Hersteller:
     BASiC SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     B2M065120R
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TO263-7
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 24A
Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 150W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 60nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -4...18V
Drainstrom im Impuls: 85A
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