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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3,5A; Idm: 44A; 1,9W; DSBGA6


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-CSD13306WT
Hersteller:
     Texas Instruments
Herst.-Nr.:
     CSD13306WT
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Montage: SMD
Gehäuse: DSBGA6
Drain-Source Spannung: 12V
Drainstrom: 3,5A
Widerstand im Leitungszustand: 15,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,9W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Technologie: NexFET™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 44A
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