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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10,1A; Idm: 70A; 1,11W; TSOT26


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN1019UVT-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN1019UVT-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: TSOT26
Drain-Source Spannung: 12V
Drainstrom: 10,1A
Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,11W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 50,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 70A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.