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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3,2A; 1,26W; X2-DFN1010-3


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN1045UFR4-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN1045UFR4-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: X2-DFN1010-3
Drain-Source Spannung: 12V
Drainstrom: 3,2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,26W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
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