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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN3200U-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3200U-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23-3
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 2,2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,65W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 9A
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