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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 200mA; Idm: 0,8A; 200mW


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN33D9LV-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN33D9LV-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT563
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 0,2A
Widerstand im Leitungszustand: 7Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 0,2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 1,23nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 0,8A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.