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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0,8A; 350mW; SOT23


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0,8A; 350mW; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0,8A; 350mW; SOT23
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN601K-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN601K-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd-transistor sot23
smd transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,3A
Widerstand im Leitungszustand: 3Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,35W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 0,8A
Die Konditionen im Überblick1
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