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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -65A; 107W; DFN8


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -65A; 107W; DFN8
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -65A; 107W; DFN8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDWS9509L-F085
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDWS9509L-F085
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Motion-Control-Baustein
Motor-Controller IC
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DFN8
Drain-Source Spannung: -40V
Drainstrom: -65A
Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 107W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 67nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±16V
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