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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3,3A; Idm: 10A; 36W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRF610STRLPBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRF610STRLPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 3,3A
Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 36W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 10A
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