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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFT120N25X3HV
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFT120N25X3HV
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268HV
Bereitschaftszeit: 140ns
Drain-Source Spannung: 250V
Drainstrom: 120A
Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 480W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ultra junction x-class
Gate-Ladung: 122nC
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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