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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO268


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO268
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO268
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFT86N30T
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFT86N30T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd-transistor 300v
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268
Drain-Source Spannung: 300V
Drainstrom: 86A
Widerstand im Leitungszustand: 46mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 860W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: thrench gate power mosfet
Gate-Ladung: 143nC
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.