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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTA120N04T2
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTA120N04T2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Bereitschaftszeit: 35ns
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 120A
Widerstand im Leitungszustand: 6,1mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 200W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: thrench gate power mosfet
Gate-Ladung: 58nC
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.