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Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTA130N10T-TRL
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTA130N10T-TRL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Bereitschaftszeit: 77ns
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 130A
Widerstand im Leitungszustand: 9,1mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 360W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 104nC
Technologie: TrenchMV™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 350A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.