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Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-MMIX1F160N30T
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1F160N30T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd-transistor 300v
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Bereitschaftszeit: 200ns
Drain-Source Spannung: 300V
Drainstrom: 102A
Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 570W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 367nC
Technologie: HiPerFET™;GigaMOS™;Trench™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 440A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.