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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN8R0-80YLX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN8R0-80YLX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 80V
Drainstrom: 75A
Widerstand im Leitungszustand: 21,3mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 238W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 104nC
Technologie: Trench
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 423A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.