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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI1024X-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI1024X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SC89;SOT563
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 515mA
Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 0,28W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 0,75nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±6V
Drainstrom im Impuls: 0,65A
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