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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14,5A; 3,3W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14,5A; 3,3W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14,5A; 3,3W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI4686DY-T1-E3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4686DY-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 14,5A
Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 3,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 9,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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