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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIA414DJ-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIA414DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 8V
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 19W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 32nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±5V
Drainstrom im Impuls: 40A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.