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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIR5102DP-T1-RE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR5102DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 110A
Widerstand im Leitungszustand: 5,6mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 104W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 51nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 300A
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