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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 250A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIRA36DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIRA36DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 40A
Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 28,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 56nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 250A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.