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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIZ710DT-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIZ710DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 16/35A
Widerstand im Leitungszustand: 9/4,3mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 27/48W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 18/60nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 70...100A
Die Konditionen im Überblick1
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.