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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3,5A; 1W; SOT23F


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3,5A; 1W; SOT23F
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3,5A; 1W; SOT23F
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SSM3K329R
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     SSM3K329R,LF(B
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: TOSHIBA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23F
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 3,5A
Widerstand im Leitungszustand: 289mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 1,5nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Die Konditionen im Überblick1
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Preis gilt ab 2 500 000 Packungen
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.