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Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0,1A; 0,32W; SOT23; R1: 10kΩ


Menge:  Packungen  
Produktinformationen
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0,1A; 0,32W; SOT23; R1: 10kΩ
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0,1A; 0,32W; SOT23; R1: 10kΩ
Artikel-Nr.:
     8WUGW-TDTC114E
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TDTC114E,LM(T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd-transistor sot23
smd transistor
smd-transistor npn
Hersteller: TOSHIBA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Frequenz: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Kollektor-Emitter-Strom: 0,1A
Transistor-Typ: NPN
Verlustleistung: 0,32W
Polarisierung: bipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Transistor-Art: BRT
Basis-Widerstand: 10kΩ
Basis-Emitter-Widerstand: 10kΩ
Die Konditionen im Überblick1
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