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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1,2W; SOT23


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1,2W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1,2W; SOT23
Artikel-Nr.:
     8WUGW-YJL03G10A-YAN
Hersteller:
     YANGJIE TECHNOLOGY
Herst.-Nr.:
     YJL03G10A
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd-transistor sot23
smd transistor
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 3A
Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 4,3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 121A
Die Konditionen im Überblick1
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