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Transistor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2,8A; 1,16W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2,8A; 1,16W
Transistor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2,8A; 1,16W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-ZXMS6006DT8TA
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     ZXMS6006DT8TA
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SM8
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 2,8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 1,16W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate;logic level
Technologie: IntelliFET™
Kanal-Art: stark
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