semiconductor  (48 053 Angebote unter 18 433 843 Artikeln)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 26 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247-4L Montage-Typ = THT

Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Rückspannung max.: 60V Vorwärtsstrom: 7,5A x2 Struktur des Halbleiters: gemeinsame Kathode;doppelt Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 45 V Gehäusegröße = SOT-346T Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SC70;SOT323 Rückspannung max.: 40V Vorwärtsspannung max.: 0,37V Vorwärtsstrom: 30mA Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Strom im max. Im...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 56 A Drain-Source-Spannung max. = 750 V Gehäusegröße = Rohr Montage-Typ = THT

Hersteller: PanJit Semiconductor Montage: THT Gehäuse: TO220AC Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsstrom max.: 152A Vorwärtsspannung max.: 2V Vorwärtsstrom: 20A Struktur des Halbleiters: einzelne Diod...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: GeneSiC SEMI...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A Drain-Source-Spannung max. = 45 V Gehäusegröße = SOT-346T Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = TSMT8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-2 Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,5V Vorwärtsstrom: 20A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impuls...

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO220AC Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsstrom max.: 42A Vorwärtsspannung max.: 1,7V Vorwärtsstrom: 10A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 45 V Gehäusegröße = SOT-346T Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Verstärker-Typ = CMOS Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = WLCSP-6 Stromversorgungs-Typ = Dual, Single Anzahl der Kanäle pro Chip = 1 Pinanzahl = 6 Versorgungsspannung einzeln typ. = 1,8 → 5,5 V Verstä...

Hersteller: PanJit Semiconductor Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsstrom max.: 108A Vorwärtsspannung max.: 2V Vorwärtsstrom: 20A x2 Struktur des Halbleiters: gemeinsame...

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO220AC Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsstrom max.: 48A Vorwärtsspannung max.: 1,7V Vorwärtsstrom: 12A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode...