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ROHM RGT8NS65DGTL IGBT, EINFACH, 650V, 8A, TO-263S-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2519786
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGT8NS65DGTL
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263S
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 65 W
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RGT8NS65DGTL, 2519786, 251-9786
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