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INFINEON IMBG65R083M1HXTMA1 MOSFET, SIC, N-KANAL, 650V, 28A, TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-3928612
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IMBG65R083M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083 ohm
  • Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 7 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Dauer-Drainstrom Id: 28 A
  • Bauform - Transistor: TO-263
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 126 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IMBG65R083M1HXTMA1, 3928612, 392-8612
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