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| Artikel-Nr.:
4503-74P1106 Herst.-Nr.:
IXTH12N65X2 EAN/GTIN:
4099891779719 |
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| Abbildung kann abweichen. MOSFET, IXTH12N65X2, LITTELFUSE Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis. Features * Internationales Standardgehäuse * Niedriger RDS(ON) und QG * Niedrige Gehäuse-Induktivität Anwendungen * Schaltnetzteile und Resonanznetzteile * DC-DC-Wandler * PFC-Schaltungen * AC- und DC-Motorantriebe * Robotik und Servo-Steuerungen Weitere Informationen: | | Ausführung: | N-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 300 mΩ | Gate Charge Qg @10V (nC): | 17.7 nC | Gehäuse: | TO-247 | max. Spannung: | 650 V | max. Strom: | 12 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | THT | Verlustleistung W (DC): | 180 W | Gewicht: | 0.006 kg | Ursprungsland: | KR | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET |
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