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Infineon HEXFET IRF1018EPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB

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Produktinformationen:

Infineon HEXFET IRF1018EPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB

Artikel-Nr.:
822EL-6886800

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRF1018EPBF

EAN/GTIN:
5059043016016

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 79 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 46 nC @ 10 V
Serie = HEXFET

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	79 A
Drain-Source-Spannung max.:	60 V
Gehäusegröße:	TO-220AB
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	8 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	110 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	46 nC @ 10 V
Serie:	HEXFET

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, 6886800, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF1018EPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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