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Infineon HEXFET IRF2804PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 280 A 330 W, 3-Pin TO-220

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Produktinformationen:

Infineon HEXFET IRF2804PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 280 A 330 W, 3-Pin TO-220

Artikel-Nr.:
822EL-7165558

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRF2804PBF

EAN/GTIN:
5059043884882

Suchbegriffe:

Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 280 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 330 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 160 nC @ 10 V
Höhe = 9.02mm

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	280 A
Drain-Source-Spannung max.:	40 V
Gehäusegröße:	TO-220
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	2 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	330 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	160 nC @ 10 V
Höhe:	9.02mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, 7165558, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF2804PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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