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Infineon HEXFET AUIRL3705N N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-220AB
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
822EL-7481894
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
AUIRL3705N
EAN/GTIN:
5059043765570
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 89 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 170 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 98 nC @ 5 V
Serie = HEXFET
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Infineon. Das umfassende Portfolio an AECQ-101-zugelassenen Einfach-Matrizen-N-Kanal-Geräten für die Automobilindustrie von Infineon entspricht einer Vielzahl von Anforderungen an die Stromversorgung in vielen Anwendungen. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
89 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
18 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
170 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
98 nC @ 5 V
Serie:
HEXFET
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
leistungs-mosfet
,
mosfet to-220ab
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Diskrete Halbleiter
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Art
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