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Infineon HEXFET IRF8313TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,7 A 2 W, 8-Pin SOIC


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Infineon HEXFET IRF8313TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,7 A 2 W, 8-Pin SOIC
Artikel-Nr.:
     822EL-8273903
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF8313TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043894270
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 21,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Höhe = 1.5mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
9,7 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOIC
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
21,6 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.35V
Gate-Schwellenspannung min.:
1.35V
Verlustleistung max.:
2 W
Transistor-Konfiguration:
Isoliert
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Höhe:
1.5mm
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 8273903, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF8313TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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