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Infineon HEXFET IRF520NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Menge:
Packung
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
822EL-8312821
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IRF520NSTRLPBF
EAN/GTIN:
5059043020303
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = HEXFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
9,7 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
200 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
48 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Serie:
HEXFET
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Diskrete Halbleiter
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Mosfet
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Diskrete Halbleiter
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Infineon
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IRF520NSTRLPBF
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Semiconductors
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Discrete Semiconductors
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