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| Artikel-Nr.:
822EL-8912866 Herst.-Nr.:
TK100A10N1,S4X(S EAN/GTIN:
5059041053310 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 207 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 45 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 15mm
MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 207 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,8 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: toshiba mosfet, mosfet, 8912866, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK100A10N1,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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