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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 2,3W; DFN10; ESD


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-AOC3870A
Hersteller:
     Alpha & Omega Semiconductor
Herst.-Nr.:
     AOC3870A
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: DFN10
Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain
Drain-Source Spannung: 12V
Widerstand im Leitungszustand: 3,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 2,3W
Polarisierung: unipolar
Ausführung: ESD
Gate-Ladung: 32nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±8V
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