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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT10086BVRG
Hersteller:
     Microchip Technology
Herst.-Nr.:
     APT10086BVRG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 13A
Widerstand im Leitungszustand: 860mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 370W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 275nC
Technologie: POWER MOS 5®
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 52A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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