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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 34A; SOT227B


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT45GP120JDQ2
Hersteller:
     Microchip Technology
Herst.-Nr.:
     APT45GP120JDQ2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 34A
Kollektorstrom im Impuls: 170A
Verlustleistung: 329W
Verpackungs-Art: Tube
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: POWER MOS 7®
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.