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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT9M100B
Hersteller:
     Microchip Technology
Herst.-Nr.:
     APT9M100B
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 6A
Widerstand im Leitungszustand: 1,4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 335W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 80nC
Technologie: POWER MOS 8®
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 37A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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