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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0,68A; 500mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-BSS123-R1
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     BSS123_R1_00001
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 0,17A
Widerstand im Leitungszustand: 10Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 1,8nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 0,68A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.