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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DIF120SIC028-DIO
Hersteller:
     DIOTEC SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     DIF120SIC028
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-4
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 84A
Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 715W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 373nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: -5...20V
Drainstrom im Impuls: 295A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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