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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 100A; Idm: 260A; 600W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DIW120SIC023-AQ
Hersteller:
     DIOTEC SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     DIW120SIC023-AQ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 29mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 600W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 45nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: -4...18V
Drainstrom im Impuls: 260A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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