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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 90A; Idm: 240A; 542W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-G3R20MT12K
Hersteller:
     Genesic Semiconductor
Herst.-Nr.:
     G3R20MT12K
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-4
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 90A
Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 542W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 219nC
Technologie: SiC;G3R™
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: -5...15V
Drainstrom im Impuls: 240A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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