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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO16-W; -5÷2,5A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-ISO5851DW
Hersteller:
     Texas Instruments
Herst.-Nr.:
     ISO5851DW
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO16-W
Versorgungsspannung: 15...30V DC
Ausgangsstrom: -5...2,5A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Impulsanstiegszeit: 35ns
Impulsabfallzeit: 37ns
Anzahl Kanäle: 2
Isolationsspannung: 5,7kV
Eingangsspannung: 3...5,5V
Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung
Verpackungs-Art: Tube
Sicherung: Unterspannung UVP
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
Topologie: IGBT Halbbrücke;MOSFET Halbbrücke
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.