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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -61A; Idm: -171A; 38W; TO252AA


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PJD60P04E-AU-L2
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PJD60P04E-AU_L2_006A1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: TO252AA
Drain-Source Spannung: -40V
Drainstrom: -61A
Widerstand im Leitungszustand: 11,3mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 38W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Gate-Ladung: 56nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: -171A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.