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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1,2A; 900mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PJQ1908-R1
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PJQ1908_R1_00201
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: DFN1006-3
Drain-Source Spannung: 50V
Drainstrom: 0,5A
Widerstand im Leitungszustand: 1,45Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,9W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 0,95nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 1,2A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.